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因此，仅从以上一点的分析，我们完全就可以推算出，存储芯片的市场是要远远大于其他种类芯片的。
那既然如此，李怡炫为什么不发展存储芯片呢？而偏要发展CPU和GPU呢？问题是，存储芯片的技术门槛要远低于CPU、GPU和DSP，技术门槛低，入行的企业相对就多，竞争必然激烈。
而CPU、GPU和DSP就不一样了，能够生产这三种芯片的企业，全世界也就那么几家，是典型的卖方市场，芯片价格不是由市场说了算，而是由生产它的企业说了算。
这时候的英特尔虽然早在1970年就推出了世界上首款CPU，但这时候的CPU还不是英特尔公司的主要业务，英特尔还看不到未来CPU市场的巨大潜力，他们的关注点还集中在存储芯片上，如果这个时候把闪存技术给放出去，无论是英特尔还是AMD，哪怕是IBM，都会把目光放在更高技术的闪存上，这样一来，就没人把目光放在更加有未来的CPU上，德玛吉就有了充分的时间在CPU市场上布局，让他们在存储器厮杀吧，等他们反应过来，德玛吉早已是CPU行业的一哥了。
这是两年前，李怡炫就制定好的战略发展计划，现在看来，这个计划已经初见成效了，台上的安迪.格鲁夫是意气飞扬，他怎么也没想到，早在两年前，他们就已经掉进了李怡炫为他们精心设计的坑里面。
闪存属于高级存储器，对工艺要求极高，必须使用CMOS工艺才能达到要求，当英特尔把全部的身价投入进去开发CMOS的闪存工艺技术的时候，就已经说明他们基本上放弃了CPU。
虽然未来的CPU也是CMOS工艺，但这两者是完全不同的CMOS技术，CPU主要用的是N阱CMOS工艺，属于NMOS，而闪存更多属于P阱CMOS反相器工艺，两者是完全的不同。
当然，你可以用P阱CMOS反相器工艺生产CPU，用N阱CMOS工艺来生产闪存，可这么做在经济上非常不划算，用P阱CMOS反相器工艺生产的CPU，良品率非常的低，最高不过60%，用N阱CMOS工艺来生产的闪存也一样，良品率都不怎么样，这会导致芯片成本过高，成本不划算。
但反过来就完全不一样了，只有工艺成熟，产业工人的熟练度够高，良品率想要维持在95%以上压力不大。
至于NP同阱CMOS工艺，又是另外一种工艺技术了，数码相机上的CMOS感光传感器，就需要用到NP同阱CMOS工艺技术。
另外，英特尔在2012年推出的3DCPU，全称叫做3D三栅极CPU，其实就是NP同阱CMOS工艺升级版，简单来说，就是在NP同阱的硅晶片的中间硅，把这个硅给拔高成第三极，就是我们所谓的3D中央处理器。
传统扁平的2D平面晶体管只在顶部有一个栅极，技术人员将2D平面栅极“拔”高成了相当薄的、从硅基体垂直竖起的3D硅鳍状物。这样，在鳍状物的两侧和顶部各有一个栅极，形成导电通道，增加了反型层面积，提高了次临界斜率，降低了漏电流和临界电压，进而实现电流控制。
使晶体管在“开”的状态下让尽可能多的电流通过，而在“关”的状态下尽可能让电流接近零，降低了功耗；同时还能在两种状态之间迅速切换，开关速度快就可以提高晶体管的性能。
原理上，3D处理器并不复杂，但要实现它非常的难，所有的生产设备，包括封装生产线都得更换，所有的设备包括刻蚀机在内，都要具备3D三栅极的功能，只要有一个工艺环节达不到要求，3D处理器就做不出来。目前，全世界只有英特尔才掌握这项技术，AMD都不行，台/湾的台